自2020年9月發布i20 IGBT芯片、ED-Type IGBT模塊等產品以來，在過去的一年里，賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司（以下簡稱“賽晶半導體”）本著精益求精的科技工匠精神，進行了全面的產品測試和優化，以及生產線建設和試產。

今天，賽晶半導體非常高興的宣布：1200V/250A i20 IGBT芯片及d20FRD芯片，1200V/750A及600A ED-Type IGBT模塊等產品成功完成試產，已具備了批量供貨能力，并正式開始接受客戶訂貨。

打破“缺芯”困局，共建國產IGBT良性發展生態圈

IGBT，作為功率半導體的代表，被稱為大國重器，對電動汽車、新能源電力等國家重點新興產業發展和達成“雙碳”目標，具有重要的戰略意義。然而，中國雖然是全球最大的IGBT消費國，市場卻長期為國外企業所主導。特別是芯片領域，國內自給率極低。在中美貿易多變的背景下，加快國產化進程，促進中國成為IGBT產業強國，是每一個業內中國企業的責任和使命。

賽晶半導體，希望通過出色的國產芯片產品和對外銷售芯片的舉措，打破國內嚴重依賴進口芯片的“缺芯”困局，與廣大業內企業共建國產IGBT良性發展生態圈，助力中國IGBT產業騰飛。

i20 IGBT芯片和d20 FRD芯片

i20 IGBT和d20 FRD芯片，電壓/電流為1200V/250A，各項性能達到或超過了國際領軍企業的同類產品。

i20 IGBT芯片，采用FS-Trench結構，即正面精細溝槽+背面場截止，并通過N型增強、窄臺面、短溝道、超薄基底、優化P+、3D結構等多項優化設計，從而帶來了高達250A的卓越表現。

d20 FRD芯片，與i20 IGBT芯片一同研發，從而確保了FRD與IGBT的完美配合，以及芯片組的出色整體性能。此外，我們通過先進的發射極效率管理、優化的陽極擴散曲線和陰極緩沖區、優化的N-基底厚度與發射極和載流子壽命，以及特別設計的鏈接終端，實現了較低的FRD損耗，也降低了IGBT的通導損耗。

在國外企業技術領先并主導市場的IGBT芯片領域，賽晶半導體是少數全部采用自有芯片進行模塊封裝的國內企業，更是目前極少數公開對外銷售自主技術IGBT芯片的國內企業。敢于直面市場的檢驗，這充分體現了賽晶半導體對產品卓越品質的高度自信。

ED-Type IGBT模塊

ED-Type模塊，采用標準的“EconoDual”封裝設計，使用賽晶半導體i20和d20芯片組，推出了1200V/750A和1200V600A兩個型號產品。

ED-Type模塊采用了“直線型”優化設計，大幅提升了均流表現，并在降低損耗的同時，提高了可靠性表現。

源于卓越的i20和d20芯片組、出色的優化設計和工藝水平、嚴格的原材料選用和供應鏈管理、首屈一指的智能自動化制造生產線，ED-Type模塊與國外領域企業的同類產品對比中，表現出了更加優異的綜合性能。

一往無前，賽晶半導體將再接再厲，加快開展1700V以及750V的精密溝槽和微溝槽IGBT芯片、碳化硅芯片，以及ED-Type、ST-Type和EV-Type等IGBT模塊的產品研發和生產線建設，為廣大客戶奉獻更多、更好的國產IGBT精品，助力中國“強芯夢”的早日實現。