4月13日，第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術年會（SPEED 2024）在安徽宣城舉辦。SPEED 2024由合肥工業大學電氣與自動化工程學院承辦，作為國內高等院校電力電子與電力傳動學科最重要的學術論壇之一，吸引了近千名業界著名專家學者、高校師生，以及業內知名企業的積極參與。作為新能源產業鏈核心器件和創新技術型企業，賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司（以下簡稱：賽晶半導體）受邀參會。

展覽中，賽晶半導體自主研發IGBT、SiC芯片及模塊引發眾多專家學者、高校師生熱烈關注和深入交流，并受到了與會技術專家和客戶的高度關注和熱烈反響。

賽晶i20系列IGBT芯片組（1200V、1700V）1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應用于風力發電、無功補償（SVG）、智能電網，以及中高壓變頻器等領域。賽晶i20系列1700V IGBT芯片組，基于經典的溝槽柵及場截止芯片結構，并采用了窄臺面、優化N-型增強層、短溝道、3D結構、優化P+層等多項行業前沿理念的優化設計，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了國內同類芯片技術的最高水平。

 賽晶ST封裝IGBT模塊（1200V、1700V）ST封裝IGBT模塊采用行業標準外形設計（62mm），具有極佳的通用性，是工業級IGBT模塊中的主流型號之一。特別是在光伏發電、低壓變頻器、UPS電源、電機驅動、數控機床等領域，ST封裝IGBT模塊具有廣泛的市場需求。作為賽晶打造精品國產IGBT模塊戰略的最新成果。ST封裝IGBT模塊采用優化布局、三維信號傳輸等創新設計（已申請專利）實現了出色的模塊性能：同類產品中最低的內部熱阻、連接阻抗、內部雜散電感等。

賽晶HEEV封裝SiC模塊（1200V）HEEV封裝SiC模塊為電動汽車應用量身定做，導通阻抗低至2.0mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅系統，并滿足電動汽車驅動系統對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

賽晶EVD封裝SiC模塊（1200V）EVD封裝SiC模塊采用乘用車領域普遍采用的全橋封裝。通過內部優化設計，具有出色的性能表現。與業界頭部企業相同規格封裝模塊對比，賽晶EVD封裝SiC模塊的導通電阻低10%至30%，連接阻抗低33%，開關損耗相近或者更低（相同開關速度）。

不僅如此，賽晶半導體首款引以為傲IGBT產品-ED封裝IGBT模塊，以及EV封裝IGBT模塊，同樣引發了廣泛關注。充分體現了賽晶在電驅動領域的強大技術實力。作為新能源產業鏈核心器件和創新技術型企業，賽晶始終堅持“以科技創新，推動綠色能源發展”為使命，站在行業的前沿不斷探索、創新。憑借多年出色的實用業績和領先的市場地位，贏得了中國電力電子技術創新研發和國產化先鋒的贊譽。